傳三星HBM開發(fā)采用“雙規(guī)制”，另建團隊專門負責HBM4項目
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編輯 : 大寶
發(fā)布 : 05-11
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近年來，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產(chǎn)品的研發(fā)，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長，各大廠商也加大了這方面的投入。雖然三星是全球最大的存儲器制造商，但在HBM產(chǎn)品的開發(fā)和銷售上卻落后于SK海力士，最近正加大投入，以追趕競爭對手。據(jù)The Elec報道，三星另外組建了團隊專門負責HBM4項目，從3月起將以往的HBM4工作組轉(zhuǎn)變?yōu)槌ＴO(shè)的辦公室。與此同時，現(xiàn)階段HBM3E的開發(fā)和量產(chǎn)工作則由原來的DRAM設(shè)計團隊負責。三星之所以在HBM開發(fā)上選擇采用“雙規(guī)制”策略，是為了加快HBM產(chǎn)品的開發(fā)進度，以便趕超競爭對手，搶奪高附加值DRAM市場。負責HBM4開發(fā)的新團隊由三星DRAM開發(fā)副總裁Hwang Sang-joon負責，并直接向三星存儲芯片業(yè)務(wù)總裁Lee Jung-base匯報工作，內(nèi)部也通過調(diào)整主要人員等手段來加強新建開發(fā)團隊的實力。上個月三星還發(fā)表了一篇采訪文章，介紹了目前HBM產(chǎn)品的開發(fā)情況，并再次重申了HBM4正在開發(fā)當中，將于2025年首次亮相。據(jù)三星介紹，隨著硬件的多功能性變得更加重要，HBM4在設(shè)計上也會針對不用的服務(wù)應(yīng)用進行優(yōu)化，計劃通過統(tǒng)一核心芯片、多樣化封裝和基礎(chǔ)芯片（比如8/12/16層堆疊）來應(yīng)對。為了解決功耗墻的問題，首個創(chuàng)新將從使用邏輯工藝的基礎(chǔ)芯片開始，隨后是第二個創(chuàng)新，從當前2.5D HBM逐步發(fā)展到3D HBM，最后預(yù)計會出現(xiàn)第三次創(chuàng)新，比如HBM-PIM，也就是具備計算功能的內(nèi)存半導體技術(shù)，這點之前三星已經(jīng)有過介紹。之前還有傳言稱，三星打算在下一代HBM4引入針對高溫熱特性優(yōu)化的非導電粘合膜（NCF）組裝技術(shù)和混合鍵合（HCB）技術(shù)。
